RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Сравнить
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
35
Около 17% меньшая задержка
Выше скорость чтения
12.8
10
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.4
7.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
35
Скорость чтения, Гб/сек
12.8
10.0
Скорость записи, Гб/сек
9.4
7.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2282
2200
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB Сравнения RAM
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Kingston 9905428-123.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-TF 16GB Сравнения RAM
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Corsair CM4X8GE2133C13K4 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD R7416G2400U2S 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Corsair CM4B8G4J2400A16K2-ON 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160U 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FB 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link