RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Сравнить
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
29
Около -12% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.7
12.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.0
9.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
26
Скорость чтения, Гб/сек
12.8
17.7
Скорость записи, Гб/сек
9.4
14.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2282
3017
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB Сравнения RAM
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Kingston 9905428-123.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB Сравнения RAM
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 99U5624-003.A00G 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVGB 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMR128GX4M8Z2933C16 16GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16/16G 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMK16GX4M2D3000C16 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston 9905471-001.A00LF 2GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3733C17 4GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link