RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Сравнить
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB против Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Средняя оценка
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
33
Около 12% меньшая задержка
Причины выбрать
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
19.7
12.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.8
9.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
33
Скорость чтения, Гб/сек
12.8
19.7
Скорость записи, Гб/сек
9.4
14.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2282
3671
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB Сравнения RAM
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Kingston 9905428-123.A00LF 8GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Corsair CM4X16GC3000C16K4D 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFT 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVR 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMR64GX4M4C3466C16 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FE 4GB
Kingston KHX2666C11D3/4GX 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link