RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD2 8GB
Сравнить
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB против Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD2 8GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD2 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD2 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
44
Около -42% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.4
12.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.8
8.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD2 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
44
31
Скорость чтения, Гб/сек
12.6
16.4
Скорость записи, Гб/сек
8.6
12.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2193
2928
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB Сравнения RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN26-SE 8GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD2 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE1 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMR64GX4M4C3000C15 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B.16F 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMWX16GC3000C15W4 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link