RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
Сравнить
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB против Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
44
Около -26% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.6
12.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
8.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
44
35
Скорость чтения, Гб/сек
12.6
15.6
Скорость записи, Гб/сек
8.6
12.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2193
3060
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB Сравнения RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN26-SE 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB Сравнения RAM
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14M 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston KHX2400C15/16G 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CM4X16GC3200C16K4 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMU64GX4M4C3200C16 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GFX 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBD2 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston 9905701-132.A00G 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link