Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB против V-GEN D4R8GL24A8R 8GB

-->

Средняя оценка

Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB

Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB

Средняя оценка

V-GEN D4R8GL24A8R 8GB

V-GEN D4R8GL24A8R 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB

Причины выбрать
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

52 77

Около 32% меньшая задержка
Выше скорость чтения

4 15.5

Среднее значение в тестах

V-GEN D4R8GL24A8R 8GB

Причины выбрать
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость записи

8.2 2,027.0

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

19200 6400

Около 3 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB

V-GEN D4R8GL24A8R 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

52 77
Скорость чтения, Гб/сек

4,837.1 15.5
Скорость записи, Гб/сек

2,027.0 8.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек

6400 19200

Other

Описание

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 800 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

794 1809

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB

Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB

V-GEN D4R8GL24A8R 8GB

V-GEN D4R8GL24A8R 8GB

модули RAM

Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB

Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB

Kingston 9965596-031.B00G 8GB

Kingston 9965596-031.B00G 8GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB

G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB

модули RAM

AMD AE34G1601U1 4GB

AMD AE34G1601U1 4GB

Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB

Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB

Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB

Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB

модули RAM

Kingston 9965426-169.A00LF 8GB

Kingston 9965426-169.A00LF 8GB

AMD R744G2400U1S-UO 4GB

AMD R744G2400U1S-UO 4GB

модули RAM

Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB

Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB

Micron Technology 8G2666CL19 8GB

Micron Technology 8G2666CL19 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB

Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB

Corsair CMK16GX4M2C3000C15 8GB

Corsair CMK16GX4M2C3000C15 8GB

модули RAM

Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB

Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB

Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB

Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB

модули RAM

G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB

G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB

Kingston 9905625-066.A00G 16GB

Kingston 9905625-066.A00G 16GB

модули RAM

Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB

Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB

Kingston 9965589-031.D01G 2GB

Kingston 9965589-031.D01G 2GB

модули RAM

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Corsair CMD32GX4M4B2800C14 8GB

Corsair CMD32GX4M4B2800C14 8GB

модули RAM

Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB

Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB

G Skill Intl F4-4000C18-8GTRS 8GB

G Skill Intl F4-4000C18-8GTRS 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB

Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB

G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB

G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB

модули RAM