RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB
Сравнить
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB против Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
5
16.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,135.0
14.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
51
Около -65% меньшая задержка
Выше пропускная способность
25600
6400
Около 4 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
31
Скорость чтения, Гб/сек
5,021.4
16.7
Скорость записи, Гб/сек
2,135.0
14.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
25600
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
855
3509
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB Сравнения RAM
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston KF3000C16D4/32GX 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KM9 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC5N-DI 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Corsair CMW8GX4M1Z3600C18 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Corsair CMT64GX4M8C3200C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link