RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Сравнить
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB против Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
5
16.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,135.0
14.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
19
51
Около -168% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
19
Скорость чтения, Гб/сек
5,021.4
16.4
Скорость записи, Гб/сек
2,135.0
14.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 14 16 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
855
3521
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB Сравнения RAM
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFX 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19S/8G 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston KHX2133C13D4/4GX 4GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMU16GX4M2C3200C16 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Kingston KHX3733C19D4/8GX 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Avant Technology W641GU67J7240N8 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4D 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link