Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB против Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB

-->

Средняя оценка

Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB

Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB

Средняя оценка

Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB

Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB

Причины выбрать
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

5 17.3

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

2,135.0 12.0

Среднее значение в тестах

Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB

Причины выбрать
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

34 51

Около -50% меньшая задержка
Выше пропускная способность

25600 6400

Около 4 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB

Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

51 34
Скорость чтения, Гб/сек

5,021.4 17.3
Скорость записи, Гб/сек

2,135.0 12.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек

6400 25600

Other

Описание

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 800 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

855 2665

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Kingston 9905678-024.A00G 4GB

Kingston 9905678-024.A00G 4GB

модули RAM

SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB

SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB

G Skill Intl F4-3000C14-16GVR 16GB

G Skill Intl F4-3000C14-16GVR 16GB

модули RAM

Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB

Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB

Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB

Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB

модули RAM

Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB

Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB

Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FE1 8GB

Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FE1 8GB

модули RAM

Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB

Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB

G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB

G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB

модули RAM

Kingston K531R8-MIN 4GB

Kingston K531R8-MIN 4GB

Kingston MSI24D4S7D8MHMH6 16GB

Kingston MSI24D4S7D8MHMH6 16GB

модули RAM

Kingston 9965525-155.A00LF 8GB

Kingston 9965525-155.A00LF 8GB

Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB

Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB

модули RAM

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Corsair CMD128GX4M8A2400C14 16GB

Corsair CMD128GX4M8A2400C14 16GB

модули RAM

Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB

Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB

SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB

SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB

модули RAM

Kingston 9965525-155.A00LF 8GB

Kingston 9965525-155.A00LF 8GB

Corsair CMD32GX4M4B2400C10 8GB

Corsair CMD32GX4M4B2400C10 8GB

модули RAM

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Corsair CMD128GX4M8A2400C14 16GB

Corsair CMD128GX4M8A2400C14 16GB

модули RAM

Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB

Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB

Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB

Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB

модули RAM

PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB

PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB

Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB

Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB

модули RAM

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Corsair CMD64GX4M4A2666C15 16GB

Corsair CMD64GX4M4A2666C15 16GB

модули RAM