Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB против Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB

-->

Средняя оценка

Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB

Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB

Средняя оценка

Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB

Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB

Причины выбрать
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

5 18.4

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

2,135.0 14.4

Среднее значение в тестах

Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB

Причины выбрать
Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

22 51

Около -132% меньшая задержка
Выше пропускная способность

17000 6400

Около 2.66 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB

Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

51 22
Скорость чтения, Гб/сек

5,021.4 18.4
Скорость записи, Гб/сек

2,135.0 14.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек

6400 17000

Other

Описание

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 800 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

855 3394

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB

Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB

Kingston KHX2400C15S4/8G 8GB

Kingston KHX2400C15S4/8G 8GB

модули RAM

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB

Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB

модули RAM

Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB

A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB

A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB

модули RAM

G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB

G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB

Kingston 9965662-013.A01G 16GB

Kingston 9965662-013.A01G 16GB

модули RAM

Kingston 9905403-061.A00LF 2GB

Kingston 9905403-061.A00LF 2GB

Corsair CMK32GX4M4B4000C19 8GB

Corsair CMK32GX4M4B4000C19 8GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB

Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB

модули RAM

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Avant Technology W6451U48J7240N6 4GB

Avant Technology W6451U48J7240N6 4GB

модули RAM

Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB

Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB

A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB

A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB

модули RAM

AMD R5316G1609U2K 8GB

AMD R5316G1609U2K 8GB

Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB

Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB

модули RAM

Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB

Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB

Kingston 99U5624-003.A00G 8GB

Kingston 99U5624-003.A00G 8GB

модули RAM

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB

G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB

модули RAM

Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB

Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB

AMD R748G2400S2S 8GB

AMD R748G2400S2S 8GB

модули RAM

Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB

Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB

Corsair CMU32GX4M2D3200C16 16GB

Corsair CMU32GX4M2D3200C16 16GB

модули RAM

Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB

Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB

Kingston X0N6VG-HYD2 16GB

Kingston X0N6VG-HYD2 16GB

модули RAM