RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
Сравнить
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB против Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
5
18.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,135.0
15.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
51
Около -70% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
30
Скорость чтения, Гб/сек
5,021.4
18.5
Скорость записи, Гб/сек
2,135.0
15.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
855
3609
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB Сравнения RAM
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB Сравнения RAM
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KVR533D2N4 512MB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.C16FE 32GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBD2 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link