RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Сравнить
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB против Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Средняя оценка
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
51
62
Около 18% меньшая задержка
Выше скорость чтения
5
16.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
6.0
2,135.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
62
Скорость чтения, Гб/сек
5,021.4
16.1
Скорость записи, Гб/сек
2,135.0
6.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
855
1586
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB Сравнения RAM
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9965639-002.A01G 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
INTENSO M418039 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingston 9905598-028.A00G 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3000 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15/8G 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
ISD Technology Limited KD48GU880-32A160X 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston XN205T-HYD2 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link