RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Сравнить
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB против Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
32
Около 9% меньшая задержка
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.4
14.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
10.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
32
Скорость чтения, Гб/сек
14.3
17.4
Скорость записи, Гб/сек
10.1
12.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2227
3137
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB Сравнения RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Heoriady M378B5273DH0-CK0 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KF548C38-16 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Kingston KHX2933C17S4/8G 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110ME78HAF-2666 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CM4X4GF2133C13K4 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMW128GX4M4D3000C16 32GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Corsair CMR128GX4M8Z2933C16 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C16 16GB
Mushkin 991586 2GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905702-071.A00G 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9905622-075.A00G 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Apacer Technology 78.C2GFP.C700B 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link