RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
Сравнить
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB против EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Средняя оценка
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
89
Около 67% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.3
14.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.1
7.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
89
Скорость чтения, Гб/сек
14.3
14.2
Скорость записи, Гб/сек
10.1
7.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2227
1571
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB Сравнения RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Heoriady M378B5273DH0-CK0 4GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BL32G36C16U4B.M16FB1 32GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBD2 4GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMT128GX4M8C3000C15 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology BL32G32C16U4W.M16FB1 32GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GTZRX 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVK 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link