RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
Сравнить
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB против G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
32
Около 9% меньшая задержка
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.4
14.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.4
10.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
32
Скорость чтения, Гб/сек
14.3
17.4
Скорость записи, Гб/сек
10.1
14.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2227
3340
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB Сравнения RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Heoriady M378B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingston 9905625-066.A00G 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDD1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDR2 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16G
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD2 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Kingston ACR26D4S9S8KA-8 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link