RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Сравнить
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB против G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
29
Около -12% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.4
14.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.3
10.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
26
Скорость чтения, Гб/сек
14.3
19.4
Скорость записи, Гб/сек
10.1
15.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2227
3648
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB Сравнения RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Heoriady M378B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston 99U5643-001.A00G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Kingston KC5N22-MIE 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Kingston 9905622-024.A00G 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMD128GX4M8A2666C15 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link