RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
Сравнить
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB против G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
29
Около -21% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.3
14.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
17.8
10.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
24
Скорость чтения, Гб/сек
14.3
20.3
Скорость записи, Гб/сек
10.1
17.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2227
4122
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB Сравнения RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Heoriady M378B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4R.M16FB1 32GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Kingston 9905670-012.A00G 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Hewlett-Packard 7EH74AA#ABC 8GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GVK 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4WL.M16FE 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link