RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Сравнить
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB против G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
29
Около -16% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.4
14.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
18.3
10.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
25
Скорость чтения, Гб/сек
14.3
17.4
Скорость записи, Гб/сек
10.1
18.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2227
3731
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB Сравнения RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Heoriady M378B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston XJV223-MIE-NX 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CM4B16G4J2400A16K2-O 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.DAGNN.4030B 16GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Kingston 9905624-023.A00G 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 99U5702-025.A00G 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link