RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
Сравнить
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB против Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Средняя оценка
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
39
Около 26% меньшая задержка
Причины выбрать
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.6
14.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
39
Скорость чтения, Гб/сек
14.3
14.6
Скорость записи, Гб/сек
10.1
10.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2227
2513
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB Сравнения RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Heoriady M378B5273DH0-CK0 4GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB Сравнения RAM
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4B4000C19 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston 9905624-036.A00G 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Essencore Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMK32GX4M4A2400C12 8GB
‹
›
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link