RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Сравнить
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB против Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Средняя оценка
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
29
Около -7% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.7
14.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.8
10.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
27
Скорость чтения, Гб/сек
14.3
16.7
Скорость записи, Гб/сек
10.1
11.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2227
2756
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB Сравнения RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Heoriady M378B5273DH0-CK0 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF-2400 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Avant Technology J642GU42J9266N2 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BL32G32C16U4R.M16FB1 32GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Avant Technology W642GU42J5213N 16GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Transcend Information JM3200HLB-8G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link