RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Сравнить
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB против Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Средняя оценка
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
67
Около 57% меньшая задержка
Выше скорость записи
10.1
8.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16
14.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
67
Скорость чтения, Гб/сек
14.3
16.0
Скорость записи, Гб/сек
10.1
8.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2227
2030
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB Сравнения RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Heoriady M378B5273DH0-CK0 4GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FD 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston 9905643-009.A00G 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Apacer Technology 78.D1GS7.B7B0B 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Wilk Elektronik S.A. GX3236D464S/8GSBS1 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Corsair CMK32GX4M2B3000C15 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9965640-035.C00G 32GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link