RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Сравнить
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB против Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Средняя оценка
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
29
Около -26% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.6
14.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.9
10.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
23
Скорость чтения, Гб/сек
14.3
16.6
Скорость записи, Гб/сек
10.1
12.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2227
2825
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB Сравнения RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Heoriady M378B5273DH0-CK0 4GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB Сравнения RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBR2 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CM4X8GE2400C16K4 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston CBD26D4S9D8ME-16 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston HP32D4U8D8HC-16XR 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link