RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
Сравнить
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB против SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Средняя оценка
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
29
Около -26% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18
14.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.0
10.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
23
Скорость чтения, Гб/сек
14.3
18.0
Скорость записи, Гб/сек
10.1
14.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2227
3327
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB Сравнения RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Heoriady M378B5273DH0-CK0 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Corsair CM2X2048-8500C5 2GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C19 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston KHX3000C16/16GX 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRBB 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Corsair CMW64GX4M4D3600C18 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link