RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Сравнить
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB против Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Средняя оценка
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
31
Около 6% меньшая задержка
Причины выбрать
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
18
14.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.5
10.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
31
Скорость чтения, Гб/сек
14.3
18.0
Скорость записи, Гб/сек
10.1
16.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2227
3729
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB Сравнения RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Heoriady M378B5273DH0-CK0 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Apacer Technology GD2.1140CH.001 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston KY7N41-MID 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
InnoDisk Corporation 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Kingston XJV223-MIE 16GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBR 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link