RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
Сравнить
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB против G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.6
14.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
36
38
Около -6% меньшая задержка
Выше скорость записи
11.6
9.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
38
36
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
14.5
Скорость записи, Гб/сек
9.8
11.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2566
3001
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB Сравнения RAM
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
INTENSO M418039 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Corsair CMW64GX4M4K3600C18 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9965600-027.A01G 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBR1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
AMD R948G2806U2S 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMD128GX4M8B3200C16 16GB
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston 99U5700-028.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link