RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
Сравнить
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB против GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Средняя оценка
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
38
Около -46% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.8
15.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.2
9.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
38
26
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
18.8
Скорость записи, Гб/сек
9.8
14.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2566
3576
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB Сравнения RAM
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
INTENSO M418039 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZR 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3733 C17 Series 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CM4X16GE2666Z16K4 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD2 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Corsair CM4X8GF2666C16K8 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUC0B 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link