RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology BL8G26C16U4R.8FD 8GB
Сравнить
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB против Crucial Technology BL8G26C16U4R.8FD 8GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Средняя оценка
Crucial Technology BL8G26C16U4R.8FD 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
15.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,378.6
13.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BL8G26C16U4R.8FD 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
62
Около -114% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology BL8G26C16U4R.8FD 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
62
29
Скорость чтения, Гб/сек
4,670.6
15.7
Скорость записи, Гб/сек
2,378.6
13.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
861
3159
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB Сравнения RAM
Kingston KVR800D2S6/4G 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
Crucial Technology BL8G26C16U4R.8FD 8GB Сравнения RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CM4X16GF3200C22S2 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology BL8G26C16U4R.8FD 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDR1 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link