RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
Сравнить
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB против Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
16.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,378.6
11.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
62
Около -100% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
62
31
Скорость чтения, Гб/сек
4,670.6
16.2
Скорость записи, Гб/сек
2,378.6
11.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
861
2897
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB Сравнения RAM
Kingston KVR800D2S6/4G 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB Сравнения RAM
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Corsair CM4X16GE2666Z16K4 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FE1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Super Talent F24EB8GS 8GB
‹
›
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link