Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB против G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB

-->

Средняя оценка

Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB

Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB

Средняя оценка

G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB

G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB

Причины выбрать
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

4 19.7

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

2,378.6 15.6

Среднее значение в тестах

G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB

Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

28 62

Около -121% меньшая задержка
Выше пропускная способность

17000 6400

Около 2.66 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB

G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

62 28
Скорость чтения, Гб/сек

4,670.6 19.7
Скорость записи, Гб/сек

2,378.6 15.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек

6400 17000

Other

Описание

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 800 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

861 3717

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB

Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB

A-DATA Technology 11137401 8GB

A-DATA Technology 11137401 8GB

модули RAM

Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB

Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB

Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB

Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C

Kingston 9905701-021.A00G 16GB

Kingston 9905701-021.A00G 16GB

модули RAM

A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB

A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB

Kingston 9905633-017.A00G 8GB

Kingston 9905633-017.A00G 8GB

модули RAM

Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB

Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB

Kingston HP26D4S9D8MJ-16 16GB

Kingston HP26D4S9D8MJ-16 16GB

модули RAM

SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB

SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB

Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB

Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB

модули RAM

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB

Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB

Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB

модули RAM

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB

Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB

модули RAM

G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB

G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB

AMD R744G2400U1S-UO 4GB

AMD R744G2400U1S-UO 4GB

модули RAM

Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB

Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB

Ramaxel Technology RMSA3320ME88HBF-3200 16GB

Ramaxel Technology RMSA3320ME88HBF-3200 16GB

модули RAM

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB

A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB

модули RAM

G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB

G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB

Apacer Technology 78.C1GMM.DFW0C 8GB

Apacer Technology 78.C1GMM.DFW0C 8GB

модули RAM

Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB

Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N

модули RAM

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB

G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB

модули RAM