RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Сравнить
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB против Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Средняя оценка
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
20.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,378.6
16.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
18
62
Около -244% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
62
18
Скорость чтения, Гб/сек
4,670.6
20.5
Скорость записи, Гб/сек
2,378.6
16.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
861
3564
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB Сравнения RAM
Kingston KVR800D2S6/4G 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FJ 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRK 8GB
AMD R748G2133U2S 8GB
Kingston CBD32D4S2D8HD-16 16GB
A-DATA Technology AX5U5200C3816G-B 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Avant Technology W642GU42J5213N 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6BFR8A
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMWX8GD3200C16W4 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link