RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Сравнить
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB против Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
32
Около 16% меньшая задержка
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.4
13.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
8.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
32
Скорость чтения, Гб/сек
13.9
17.4
Скорость записи, Гб/сек
8.4
12.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2251
3137
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT51264BA1339J.C8F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KF548C38-16 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FF 4GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Transcend Information JM3200HLB-8G 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMK192GX4M12P3200C16 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link