Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB

Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB против Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB

Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB

Средняя оценка
star star star star star
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB

Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB

Различия

  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    27 left arrow 32
    Около 16% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    20.5 left arrow 13.9
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    14.5 left arrow 8.4
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    21300 left arrow 10600
    Около 2.01 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    27 left arrow 32
  • Скорость чтения, Гб/сек
    13.9 left arrow 20.5
  • Скорость записи, Гб/сек
    8.4 left arrow 14.5
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    10600 left arrow 21300
Other
  • Описание
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Тайминги / частота
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2251 left arrow 3379
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения