RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
Сравнить
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB против Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Средняя оценка
Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
29
Около 7% меньшая задержка
Причины выбрать
Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.5
13.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.0
8.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
29
Скорость чтения, Гб/сек
13.9
14.5
Скорость записи, Гб/сек
8.4
12.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2251
2960
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT51264BA1339J.C8F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB Сравнения RAM
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FADG 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
A-DATA Technology AM1L16BC2P1-B1FS 2GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Hewlett-Packard 7EH99AA# 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Kingston 99U5713-003.A00G 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Corsair CMU16GX4M2A2400C16 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link