RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMK64GX4M4A2400C16 16GB
Сравнить
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB против Corsair CMK64GX4M4A2400C16 16GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Средняя оценка
Corsair CMK64GX4M4A2400C16 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
37
Около 27% меньшая задержка
Причины выбрать
Corsair CMK64GX4M4A2400C16 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.1
13.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.2
8.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMK64GX4M4A2400C16 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
37
Скорость чтения, Гб/сек
13.9
15.1
Скорость записи, Гб/сек
8.4
12.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2251
3230
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT51264BA1339J.C8F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
Corsair CMK64GX4M4A2400C16 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2400D464L17S/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Kingston KHX3000C15D4/8GX 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CM4X8GD3600C18K2D 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMW32GX4M4A2666C16 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston 99U5712-009.A00G 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9965589-024.D01G 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link