RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Сравнить
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB против Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
29
Около 7% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.2
13.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.3
8.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
29
Скорость чтения, Гб/сек
13.9
14.2
Скорость записи, Гб/сек
8.4
10.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2251
2984
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT51264BA1339J.C8F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Kingston 9965589-007.D01G 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMR32GX4M2C3000C15 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Avant Technology W642GU42J2320NH 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Apacer Technology 78.CAGMR.ARC0B 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Apacer Technology 78.D2GG7.AU30B 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C18 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link