RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Сравнить
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB против Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
29
Около 7% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.2
13.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.3
8.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
29
Скорость чтения, Гб/сек
13.9
14.2
Скорость записи, Гб/сек
8.4
10.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2251
2984
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT51264BA1339J.C8F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRK 8GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Corsair CMD16GX4M2C3333C16 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Essencore Limited KD48GS88C-32N2200 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9905702-121.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston 9905743-034.A00G 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Apacer Technology 78.CAGPW.40C0B 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link