RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FADP 4GB
Сравнить
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB против Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FADP 4GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FADP 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FADP 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
27
Около -4% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.3
13.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.1
8.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FADP 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
26
Скорость чтения, Гб/сек
13.9
14.3
Скорость записи, Гб/сек
8.4
11.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2251
2313
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT51264BA1339J.C8F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FADP 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Corsair CMD128GX4M8B3200C16 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMW32GX4M2C3200C16 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRK 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FADP 4GB
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.16FE 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
SK Hynix HMA41GU7AFR8N-TF 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Corsair CMH32GX4M2D3600C18 16GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
InnoDisk Corporation 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link