RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Сравнить
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB против DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Средняя оценка
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
28
Около 4% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13.9
13.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.4
5.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
28
Скорость чтения, Гб/сек
13.9
13.2
Скорость записи, Гб/сек
8.4
5.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2251
1699
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT51264BA1339J.C8F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
AMD R948G3206U2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9905700-026.A00G 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMW64GX4M8X3600C18 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston HP32D4U8S8ME-8X 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMU32GX4M2A2666C16 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link