RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Сравнить
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB против G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
30
Около 10% меньшая задержка
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.2
13.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.0
8.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
30
Скорость чтения, Гб/сек
13.9
16.2
Скорость записи, Гб/сек
8.4
15.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2251
3636
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT51264BA1339J.C8F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CM4X8GD3200C16K4 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston KHX3200C20S4/16GX 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Transcend Information JM3200HLG-8G 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Apacer Technology D12.2326WH.001 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Apacer Technology 78.CAGPL.ARC0B 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0B 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link