RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Сравнить
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB против G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
27
Около -8% меньшая задержка
Выше скорость чтения
25.2
13.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
19.5
8.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
25
Скорость чтения, Гб/сек
13.9
25.2
Скорость записи, Гб/сек
8.4
19.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2251
4167
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT51264BA1339J.C8F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB Сравнения RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TFTD 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingston 9905678-042.A00G 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMK8GX4M2B3733C17 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKY 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMT32GX4M2D3600C18 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KHX2666C15D4/4G 4GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Kingston HP26D4U9D8ME-16X 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link