RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Сравнить
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB против Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Средняя оценка
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
27
Около -23% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.5
13.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.9
8.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
22
Скорость чтения, Гб/сек
13.9
17.5
Скорость записи, Гб/сек
8.4
12.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2251
3083
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT51264BA1339J.C8F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9905701-131.A00G 16GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston HX432C15PB3/16G 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Corsair CM4B8G1J2800K14K 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMR32GX4M2C3333C16 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Kingston 9905630-030.A00G 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Kingston 9905625-152.A00G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-2400C14-4GRK 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link