RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Сравнить
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB против Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Средняя оценка
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
71
Около 62% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.4
7.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.8
13.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
71
Скорость чтения, Гб/сек
13.9
15.8
Скорость записи, Гб/сек
8.4
7.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2251
1757
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT51264BA1339J.C8F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMD128GX4M8A2666C15 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUW0B 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Apacer Technology GD2.1140CH.001 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Kingston KHX21334D4/8G 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9905701-006.A00G 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston KHX2666C13D4/8GX 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9905598-028.A00G 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
AMD R748G2133U2S-UO 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link