RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Сравнить
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
35
Около 23% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13.9
10
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.4
7.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
35
Скорость чтения, Гб/сек
13.9
10.0
Скорость записи, Гб/сек
8.4
7.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2251
2200
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT51264BA1339J.C8F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-TF 16GB Сравнения RAM
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZR 32GB
Kingston KHX1600C9D3/8GX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link