Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB против Kingston 9905700-017.A00G 8GB

-->

Средняя оценка

Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB

Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB

Средняя оценка

Kingston 9905700-017.A00G 8GB

Kingston 9905700-017.A00G 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB

Причины выбрать
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

27 28

Около 4% меньшая задержка

Kingston 9905700-017.A00G 8GB

Причины выбрать
Kingston 9905700-017.A00G 8GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

16.3 13.9

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

12.9 8.4

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

21300 10600

Около 2.01 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB

Kingston 9905700-017.A00G 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

27 28
Скорость чтения, Гб/сек

13.9 16.3
Скорость записи, Гб/сек

8.4 12.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 21300

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2251 2790

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

G Skill Intl F4-3200C16-8GVGB 8GB

G Skill Intl F4-3200C16-8GVGB 8GB

модули RAM

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB

Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB

модули RAM

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB

G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB

G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB

модули RAM

SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB

SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB

Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB

Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB

модули RAM

Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB

Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB

Kingston 9905665-020.A00G 4GB

Kingston 9905665-020.A00G 4GB

модули RAM

PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

Apacer Technology 78.CAGN7.4000C 8GB

Apacer Technology 78.CAGN7.4000C 8GB

модули RAM

G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB

G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB

Hypertec G2RT-4AFT00 16GB

Hypertec G2RT-4AFT00 16GB

модули RAM

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB

Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB

модули RAM

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

A-DATA Technology AM2P24HC4R1-BUPS 4GB

A-DATA Technology AM2P24HC4R1-BUPS 4GB

модули RAM

Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB

Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB

Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB

Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB

модули RAM

SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB

SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB

Essencore Limited KD4AGU880-34A170X 16GB

Essencore Limited KD4AGU880-34A170X 16GB

модули RAM

Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB

Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB

Corsair CM4X32GE2666C18S2 32GB

Corsair CM4X32GE2666C18S2 32GB

модули RAM

Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB

Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB

Kingston KHYXPX-HYJ 8GB

Kingston KHYXPX-HYJ 8GB

модули RAM

Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB

Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB

Apacer Technology AQD-D4U8GN26-SE 8GB

Apacer Technology AQD-D4U8GN26-SE 8GB

модули RAM