RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston KHX3200C20S4/16G 16GB
Сравнить
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB против Kingston KHX3200C20S4/16G 16GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Средняя оценка
Kingston KHX3200C20S4/16G 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
33
Около 18% меньшая задержка
Причины выбрать
Kingston KHX3200C20S4/16G 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.9
13.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.0
8.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
10600
Около 2.42 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston KHX3200C20S4/16G 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
33
Скорость чтения, Гб/сек
13.9
16.9
Скорость записи, Гб/сек
8.4
14.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
25600
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2251
3327
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT51264BA1339J.C8F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
Kingston KHX3200C20S4/16G 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMD32GX4M4C3466C16W 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston 9905743-045.A00G 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
Kingston HX432C15PB3/16 16GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMK128GX4M8X3800C19 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link