RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Сравнить
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB против Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
31
Около 13% меньшая задержка
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.3
13.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.8
8.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
31
Скорость чтения, Гб/сек
13.9
16.3
Скорость записи, Гб/сек
8.4
12.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2251
3084
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT51264BA1339J.C8F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M8FB1 16GB
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3000D 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Kingston KTD3KX-HYA 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston KV0M5R-MIE 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link