RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Сравнить
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB против Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Средняя оценка
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
43
Около 37% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13.9
11.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
11.2
8.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
10600
Около 2.42 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
43
Скорость чтения, Гб/сек
13.9
11.6
Скорость записи, Гб/сек
8.4
11.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
25600
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2251
2615
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT51264BA1339J.C8F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMD64GX4M8B3200C16 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.8FE 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FJ 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston KHX2666C15S4/8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CMD32GX4M2B2800C14 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link