RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
Сравнить
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB против Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Средняя оценка
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
65
Около 58% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13.9
8.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.4
5.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
65
Скорость чтения, Гб/сек
13.9
8.5
Скорость записи, Гб/сек
8.4
5.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2251
1981
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT51264BA1339J.C8F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB Сравнения RAM
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK64GX4M2C3200C16 32GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
AMD R748G2133U2S 8GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMU32GX4M2D3200C16 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FR 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FD 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C14 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8XR 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link