RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Сравнить
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB против Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Средняя оценка
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
86
Около 69% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.4
8.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.3
13.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
86
Скорость чтения, Гб/сек
13.9
14.3
Скорость записи, Гб/сек
8.4
8.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2251
1658
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT51264BA1339J.C8F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB Сравнения RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8X 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BQXS 8GB
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CMD32GX4M4A2400C12 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMK64GX4M2D3600C18 32GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston 9965745-002.A00G 16GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK128GX4M8B3333C16 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link