Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB против Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17S/8G 8GB

-->

Средняя оценка

Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB

Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB

Средняя оценка

Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17S/8G 8GB

Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17S/8G 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB

Причины выбрать
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB

Сообщить об ошибке

Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17S/8G 8GB

Причины выбрать
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17S/8G 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

24 27

Около -13% меньшая задержка
Выше скорость чтения

15.3 13.9

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

10.3 8.4

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

19200 10600

Около 1.81 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB

Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17S/8G 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

27 24
Скорость чтения, Гб/сек

13.9 15.3
Скорость записи, Гб/сек

8.4 10.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 19200

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2251 2541

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB

Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB

Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17S/8G 8GB

Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17S/8G 8GB

модули RAM

Kingston 9905403-038.A00LF 4GB

Kingston 9905403-038.A00LF 4GB

Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB

Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB

модули RAM

SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB

SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N

модули RAM

Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB

Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB

Team Group Inc. DDR4 3000 4GB

Team Group Inc. DDR4 3000 4GB

модули RAM

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB

Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB

модули RAM

Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB

Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB

Corsair MK16GX4M2B3200C16 8GB

Corsair MK16GX4M2B3200C16 8GB

модули RAM

Kingston 9905403-134.A00LF 2GB

Kingston 9905403-134.A00LF 2GB

Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB

Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB

модули RAM

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB

Hewlett-Packard 7EH55AA# 8GB

Hewlett-Packard 7EH55AA# 8GB

модули RAM

Kingston KVR800D2N6/2G 2GB

Kingston KVR800D2N6/2G 2GB

V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB

V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB

модули RAM

Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB

Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB

G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB

G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB

модули RAM

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB

Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB

модули RAM

Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB

Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB

G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB

G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB

модули RAM

Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB

Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N

модули RAM

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Kingston 9905624-025.A00G 8GB

Kingston 9905624-025.A00G 8GB

модули RAM