RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
Сравнить
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB против Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Средняя оценка
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
21
39
Около -86% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.5
13.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.2
8.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
39
21
Скорость чтения, Гб/сек
13.2
18.5
Скорость записи, Гб/сек
8.2
14.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2165
2930
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB Сравнения RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C8FE 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Avant Technology W642GU44J2320NC 16GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVR 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z2933C16 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3600C18 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C16 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston MSI24D4S7S7MH-16 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.M16FR 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Corsair CMSX8GX4M1A2400C16 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9965662-002.A01G 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C16 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link